氦质谱检漏的具体方法——背压法

背压法是真空系统检漏中的基础方法之一,结合了压力检漏与真空检漏两者的特点(www.daixia.net)。氦质谱检漏中,背压法的应用原理也是一样的,今天就和华尔升智控一起看下氦质谱检漏方法中的背压法。

背压氦质谱检漏法是一种适用于容积较小被检件的检漏方法,例如半导体一类真空密封器件的无损检漏。它的检漏过程与其他背压法一样包括3个步骤:充压、净化、检漏。

充压过程中,被检件在充有高压氦气的容器中存放一定时间,使氦气经漏孔进入被检件内部,并随着时间的增长,其内部的充气压力及氦分压会逐渐增高;进入净化阶段后,用干燥氮气等冲刷,或通过静置手段去除吸附在被检件外表面的氦气;最后将被检件放入真空室并将真空室抽成真空状态,利用压差作用使被检件内部的氦气流出进入检漏仪,检漏仪输出指示判定漏孔的存在及其漏率。

根据华尔升智控简述的流程,相信不少人可以看出背压法不适合用于有大漏孔的被检件。因为如果漏孔过大,在净化阶段,充入被检件内部的氦气会流失得很快,净化的时间越长,流失得就越严重,最后会导致检漏仪的输出指示降低,造成漏孔漏率很小的假象,甚至检测不出漏孔。因此在使用背压氦质谱检漏法时,除了避免用于大漏孔的被检件检漏外,还要注意适当增高充气压力、延长在高压氦气中的浸泡时间,同时缩短净化时间,来提高检漏灵敏度。

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